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    2. NAND Flash簡介

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      NAND Flash根據一個存儲器單元劃分能級的數量(即存儲幾個bit數據),可以將產品劃分為SLC(Single-Level Cell),MLC(Multi-Level Cell),TLC(Trinary-Level Cell)。劃分能級越多,存儲密度越大,對應同等面積的晶圓可以生產出更大容量的產品,就單顆芯片來說,同等容量的NAND Flash,MLC和TLC具有絕對的價格優勢,但也犧牲了部分性能。

      3D產品升級

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      隨著2D NAND Flash的制程更新,Cell面積縮小,單位面積產出容量變大,功耗便會有所降低,同時其中存放的電子總量也會隨之減少,容易因為漏電而導致數據出錯。此外,Cell之間分布得越緊密,在讀寫的時候就越容易出現彼此間的干擾。所以,這就要求到NAND Flash往3D布局的方向進行升級。

      電流方向及串擾范圍

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      3D NAND以垂直半導體通道的方式進行排列,多層環繞式柵極(GAA)結構形成多電柵級存儲器單元晶體管,可以有效地降低堆棧間的干擾。3D技術不僅提升了產品性能,而且在功耗方面也有所降低。

      IDA(Initial Data Acceleration)

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      設置IDA區域,目的是為了減小存儲產品SMT在高溫過爐時丟失數據的風險。同時,IDA的存在還可提高讀寫性能,降低首次系統燒錄的時間。配合longsys燒錄器,相比同類型產品其燒錄速度可增加1倍以上。

      Cache mode 的幾大優點

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      • 可大幅度提升IOPS(每秒I/O的訪問次數);
      • 減少寫入NAND Flash的數據量,延長產品使用壽命;
      • 可對日志型文件系統(如Android常用的EXT4等)進行特別優化;
      • 可提升隨機寫性能,從而提升系統流暢性及用戶體驗。

      斷電保護算法

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      相對Raw NAND Flash掉電中可能存在的數據損毀隱患,eMMC在Power-loss環境下進行特別優化。針對RAW NAND Flash丟程序問題,我們通過斷電保護算法,保證系統的預置數據完整。同時,為了避免關鍵數據出錯,我們還進行Sector級別的數據保護,排除寫入數據的不確定性。

      數據安全

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      • 寫保護SSD:只需撥動寫保護開關,即可鎖定SSD上的數據不被刪除或者篡改;
      • 數據銷毀功能SSD:在上電的情況下長按銷毀數據鍵,即可實現SSD上的數據在物理上徹底刪除,無法恢復,保證用戶隱私不被泄露;
      • 數據加密SSD:longsys獨有的加密技術,通過一系列的數據轉換方法,對存入信息進行另類加密,以保護用戶隱私不被侵犯;
      • 防拷貝/防讀:SD卡內有重要的機密文件,為了防止被竊取利用,SD Firmware可配合進行相關的數據加密。在已加密的情況下,用戶無法讀取該卡片資料,甚至無法讀到磁盤。當SD卡收到特殊指令進行解鎖后,用戶便可對內部文件進行正常讀寫操作
      • 防刪除:SD卡內保存了重要文件(如系統文件、影音文件等),為了防止被用戶誤刪除,SD Firmware支持將重要分區內的數據進行保護,在未被授權的情況下,受保護的分區內數據都是無法被刪除或修改的。
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